MUHAMMAD, IRFAN (2022) PENGARUH BERAT KMnO4 DAN WAKTU OKSIDASI DI METODE HUMMERS TERHADAP STRUKTUR, MORFOLOGI DAN KONDUKTIVITAS LISTRIK MEMBRAN ZnO/GO MELALUI SPRAY COATING. S1 thesis, UNIVERSITAS SULTAN AGENG TIRTAYASA.

	Text Muhammad Irfan_3334160075_Fulltext.pdf Download (1MB)
	Text Muhammad Irfan_3334160075_01.pdf Download (1MB)
	Text Muhammad Irfan_3334160075_02.pdf Download (223kB)
	Text Muhammad Irfan_3334160075_03.pdf Download (106kB)
	Text Muhammad Irfan_3334160075_04.pdf Download (362kB)
	Text Muhammad Irfan_3334160075_05.pdf Download (85kB)
	Text Muhammad Irfan_3334160075_Ref.pdf Download (152kB)
	Text Muhammad Irfan_3334160075_Lamp.pdf Download (352kB)

Abstract

In this all-digital era, technology such as electronic products is a important thing. Eliminate dependence on electronic products, especially materials scientists, are expected to produce materials that small in size and light in weight, but has excellent electronic and mechanical properties good. With thin film technology, it is hoped that a material that can be obtained good quality, so that it can be applied to a material. Nowadays the development of research on the growth of thin films is increasingly advanced which can be applied to the fields of communication, engineering and other technologies including applications in physics, used in the electronics industry, micro electronics for semiconductor material devices. Zinc Oxide (ZnO) is a one of the basic ingredients for making thin films. ZnO is a semiconductor material n-type groups II-IV with a wide band gap of 3.20 eV at room temperature. ZnO has emission properties close to UV light, photocatalyst, conductivity and high transparency. This material is used as a base material for thin layers, because it has several advantages in its application, especially in the field of sensors, solar cells, and nanodevices. Graphene oxide (GO) is a material that as a growth substrate for nanomaterials with morphological and characteristics that can be optimized. In this research, the manufacture of ZnO/GO membrane. This research was conducted by varying the weight of KMnO4 and oxidation time to determine the effect on the structure, morphology and the electrical conductivity of the ZnO/GO membrane. ZnO/GO membrane in this study made by vacuum filtration process to obtain GO and membranes followed by a spray coating process to deposit ZnO. Results research shows the optimal oxidation time on the Hummers method is 3 hours and the optimal weight of KMnO4 in the Hummers method is 8 grams. The lowest sheet resistance value was obtained in samples with an oxidation time of 3 hours and the weight of KMnO4 8 grams is 0.4898kΩ/sq. Highest electrical conductivity value obtained in samples with an oxidation time of 3 hours and a weight of KMnO4 8 grams of 8.0514S/m. The intensity values ​​of the G and D bands in the Raman spectrum are in samples with an oxidation time of 3 hours and a weight of 8 grams of KMnO4. The XRD analysis The results obtained show that the ZnO/GO membrane has a carbon element with a structure of orthorhombic crystals and has the element zinc with a hexagonal crystal structure

Item Type:	Thesis (S1)
Contributors:	Contribution Contributors NIP/NIM Thesis advisor ADHITYA, TRENGGONO 197804102003121001 Thesis advisor YUS RAMA, DENNY 198206222009121002
Additional Information:	Di era yang serba digital ini, teknologi seperti produk elektronik merupakan hal yang penting. Menghilangkan ketergantungan pada produk elektronik, khususnya ilmuwan material, diharapkan dapat menghasilkan material yang berukuran kecil dan ringan, namun memiliki sifat elektronik dan mekanik yang baik. Dengan teknologi thin film diharapkan dapat diperoleh suatu bahan yang berkualitas baik, sehingga dapat diaplikasikan ke dalam suatu bahan. Dewasa ini perkembangan penelitian tentang penumbuhan lapisan tipis semakin maju yang dapat diaplikasikan untuk bidang komunikasi, ilmu teknik dan teknologi lainnya termasuk aplikasi dalam fisika, yang digunakan dalam industri elektronika, mikro elektronika untuk perangkat bahan semikonduktor. Zinc Oxide (ZnO) merupakan salah satu bahan dasar pembuatan lapisan tipis. ZnO adalah material semikonduktor tipe-n golongan II-IV dengan lebar band gap 3,20 eV pada suhu kamar, Selain itu, ZnO memiliki sifat emisi yang dekat dengan sinar UV, fotokatalis, konduktivitas dan transparansi yang tinggi. Bahan ini digunakan sebagai bahan dasar lapisan tipis, karena memiliki beberapa keunggulan dalam aplikasinya, terutama dalam bidang sensor, sel surya, serta nanodevice. Grafena oxide (GO) merupakan bahan yang baik sebagai substrat pertumbuhan untuk nanomaterial dengan morfologi dan karakteristik yang dapat dioptimalkan. Pada penelitian ini dilakukan pembuatan membran ZnO/GO. Penelitian ini dilakukan dengan memvariasikan berat KMnO4 dan waktu oksidasi untuk mengetahui pengaruhnya terhadap struktur, morfologi dan konduktivitas listrik membran ZnO/GO. Membran ZnO/GO pada penelitian ini dibuat dengan proses filtrasi vakum untuk mendapatkan membran GO dan dilanjutkan dengan proses spray coating untuk mendeposisikan ZnO. Hasil penelitian menunjukkan waktu oksidasi pada metode Hummers yang optimal adalah 3 jam dan berat KMnO4 pada metode Hummers yang optimal adalah 8 gram. Nilai sheet resistance terendah didapat pada sampel dengan waktu oksidasi 3 jam dan berat KMnO4 8 gram sebesar 0,4898kΩ/sq. Nilai konduktivitas listrik tertinggi didapat pada samper dengan waktu oksidasi 3 jam dan berat KMnO4 8 gram sebesar 8,0514S/m. Nilai Intensitas pita G dan D pada spektrum Raman terdapat pada sampel dengan waktu oksidasi 3 jam dan berat KMnO4 8 gram. Analisis XRD yang didapat menunjukkan membran ZnO/GO memiliki unsur karbon dengan struktur kristal ortorombik dan memiliki unsur zinc dengan struktur kristal heksagonal.
Subjects:	T Technology > T Technology (General)
Divisions:	03-Fakultas Teknik > 27201-Jurusan Teknik Metalurgi
Depositing User:	Mr Muhammad Irfan
Date Deposited:	21 Jun 2023 15:28
Last Modified:	21 Jun 2023 15:28
URI:	http://eprints.untirta.ac.id/id/eprint/17178

Actions (login required)

View Item