IRFAN, MUHAMMAD (2022) PENGARUH BERAT KMnO4 DAN WAKTU OKSIDASI DI METODE HUMMERS TERHADAP STRUKTUR, MORFOLOGI DAN KONDUKTIVITAS LISTRIK MEMBRAN ZnO/GO MELALUI SPRAY COATING. S1 thesis, Fakultas Teknik Universitas Sultan Ageng Tirtayasa.

	Text (Fulltext) SKRIPSI Full Draft_Muhammad Irfan_3334160075.pdf Restricted to Registered users only Download (1MB)
	Text (Abstrak) ABSTRAK Bahasa Indonesia.pdf Restricted to Registered users only Download (86kB)

Abstract

Di era yang serba digital ini, teknologi seperti produk elektronik merupakan hal yang penting. Menghilangkan ketergantungan pada produk elektronik, khususnya ilmuwan material, diharapkan dapat menghasilkan material yang berukuran kecil dan ringan, namun memiliki sifat elektronik dan mekanik yang baik. Dengan teknologi thin film diharapkan dapat diperoleh suatu bahan yang berkualitas baik, sehingga dapat diaplikasikan ke dalam suatu bahan. Dewasa ini perkembangan penelitian tentang penumbuhan lapisan tipis semakin maju yang dapat diaplikasikan untuk bidang komunikasi, ilmu teknik dan teknologi lainnya termasuk aplikasi dalam fisika, yang digunakan dalam industri elektronika, mikro elektronika untuk perangkat bahan semikonduktor. Zinc Oxide (ZnO) merupakan salah satu bahan dasar pembuatan lapisan tipis. ZnO adalah material semikonduktor tipe-n golongan II-IV dengan lebar band gap 3,20 eV pada suhu kamar, Selain itu, ZnO memiliki sifat emisi yang dekat dengan sinar UV, fotokatalis, konduktivitas dan transparansi yang tinggi. Bahan ini digunakan sebagai bahan dasar lapisan tipis, karena memiliki beberapa keunggulan dalam aplikasinya, terutama dalam bidang sensor, sel surya, serta nanodevice. Grafena oxide (GO) merupakan bahan yang baik sebagai substrat pertumbuhan untuk nanomaterial dengan morfologi dan karakteristik yang dapat dioptimalkan. Pada penelitian ini dilakukan pembuatan membran ZnO/GO. Penelitian ini dilakukan dengan memvariasikan berat KMnO4 dan waktu oksidasi untuk mengetahui pengaruhnya terhadap struktur, morfologi dan konduktivitas listrik membran ZnO/GO. Membran ZnO/GO pada penelitian ini dibuat dengan proses filtrasi vakum untuk mendapatkan membran GO dan dilanjutkan dengan proses spray coating untuk mendeposisikan ZnO. Hasil penelitian menunjukkan waktu oksidasi pada metode Hummers yang optimal adalah 3 jam dan berat KMnO4 pada metode Hummers yang optimal adalah 8 gram. Nilai sheet resistance terendah didapat pada sampel dengan waktu oksidasi 3 jam dan berat KMnO4 8 gram sebesar 0,4898kΩ/sq. Nilai konduktivitas listrik tertinggi didapat pada samper dengan waktu oksidasi 3 jam dan berat KMnO4 8 gram sebesar 8,0514S/m. Nilai Intensitas pita G dan D pada spektrum Raman terdapat pada sampel dengan waktu oksidasi 3 jam dan berat KMnO4 8 gram. Analisis XRD yang didapat menunjukkan membran ZnO/GO memiliki unsur karbon dengan struktur kristal ortorombik dan memiliki unsur zinc dengan struktur kristal heksagonal

Actions (login required)

View Item