Syaputra, Adjie Maulana (2019) PEMBUATAN LAPISAN TIPIS FLUORINE-DOPED TIN OXIDE (FTO) DENGAN TEKNIK SPIN COATING SEDERHANA BERBASIS PREKURSOR TIMAH KLORIDA. S1 thesis, Fakultas Teknik Universitas Sultan Ageng Tirtayasa.
![]() |
Text (Fulltext)
PEMBUATAN LAPISAN TIPIS FLUORINE-DOPED TIN OXIDE (FTO) DENGAN TEKNIK SPIN COATING SEDERHANA BERBASIS PREKURSOR TIMAH KLORIDA.pdf Restricted to Registered users only Download (4MB) |
![]() |
Text (Abstrak)
Abstrak_Bahasa Indonesia dan Inggris_Adjie Maulana Syaputra_3334150058.pdf Download (293kB) |
Abstract
Lapisan tipis Fluorine Doped Tin Oxide (FTO) merupakan salah satu semikonduktor. Kaca ini sudah banyak digunakan dalam kehidupan sehari-hari seperti sensor, sel surya, baterai, layar sentuh, LED TV dan DSSC. Penelitian ini bertujuan untuk membuat kaca konduktif fluorine-doped tin oxide (FTO) dengan metode spin coating. Pembuatan FTO menggunakan bahan tin(II) chloride dihydrate (SnCl2.2H2O) sebagai prekursor dan ethanol sebagai pelarut. Dopan yang digunakan yaitu ammonium fluoride (NH4F). Metode yang digunakan untuk membuat FTO yaitu dengan cara spin coating dengan alat spincoater sederhana. Proses pembuatan FTO dilakukan drying dengan temperatur sebesar 200°C selama 10 menit. Penelitian ini menggunakan variasi jumlah dopan (0 dan 2wt%), waktu deposisi (30, 45, 60, 75 dan 90 detik), jumlah lapisan (3, 4 dan 5 lapis) dan temperatur (300, 400 dan 500°C). Nilai viskositas pada prekursor yang ditambahkan dengan dopant fluorine (F) memiliki nilai viskositas sebesar 0,0156 g/cm.s dan larutan undoped sebesar 0,016 g/cm.s. Hasil penelitian ini menunjukkan bahwa semakin meningkatnya jumlah dopan, waktu deposisi, jumlah lapisan dan temperatur dapat menurunkan nilai resistivitas dan transmitansi. Sifat struktur lapisan ini semakin kristalin dengan meningkatnya variasi yang dilakukan. Pola difraksi yang diperoleh yaitu senyawa SnO2 dengan puncak tertinggi (110). Hasil optimum pada penelitian ini berada yakni dengan dopan yaitu pada jumlah dopan 2%, 90 detik, 5 lapis dan 500°C dengan nilai resistivitas sebesar 1,692×10 -2 Ω/cm dan transmitansi sebesar 69,232%.
Item Type: | Thesis (S1) | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Contributors: |
|
|||||||||
Uncontrolled Keywords: | FTO, semikonduktor, prekursor, dopan, spin coating, resistivitas dan transmitansi | |||||||||
Subjects: | Q Science > Q Science (General) T Technology > T Technology (General) |
|||||||||
Divisions: | 03-Fakultas Teknik > 27201-Jurusan Teknik Metalurgi | |||||||||
Depositing User: | Perpustakaan FT | |||||||||
Date Deposited: | 20 Sep 2024 16:16 | |||||||||
Last Modified: | 20 Sep 2024 16:16 | |||||||||
URI: | http://eprints.untirta.ac.id/id/eprint/42336 |
Actions (login required)
![]() |
View Item |